MOSFET характеристика

В сравнение с биполярните транзистори MOSFET имат следните характеристики.

(1) FET е устройство за контрол на напрежението, което контролира ID (ток на изтичане) през VGS (напрежение на източника на врата);

(2) Контролният входен ток на FET е много малък, така че входното му съпротивление (107~1012 Ω) е много голямо.

(3) Използва повечето носители за провеждане на електричество, така че температурната му стабилност е добра;

(4) Коефициентът на усилване на напрежението на усилвателната верига, съставена от транзистора, е по-малък от този на усилващата верига, съставена от триод;

(5) Радиационната устойчивост на FET е силна;

(6) Шумът е нисък, защото няма изстрелен шум, причинен от електронната дифузия на хаотичното движение.